| 主权项 |
1.一种电路板之切割成形方法,系包括: 提供一具有复数电路板单元之电路板,该电路板表 面形成有线路金属层; 于该线路金属层上形成一保护金属层; 进行电路板切割作业以形成有复数电路板单元,其 中该切割路径系通过部分保护金属层;以及 移除该保护金属层。 2.如申请专利范围第1项之电路板之切割成形方法, 其中,该电路板系可应用于互补式金属氧化物半导 体感测器(CMOS sensor)之电路板结构。 3.如申请专利范围第1项之电路板之切割成形方法, 其中,该电路板为一条片状(Strip)电路板结构及整 片状(Panel)电路板结构之其中一者。 4.如申请专利范围第1项之电路板之切割成形方法, 其中,该相邻电路板单元周缘形成有电性导通孔。 5.如申请专利范围第4项之电路板之切割成形方法, 其中,该切割作业系沿该电路板单元周缘为切割路 径而进行切割,以同时切削该电路板之电性导通孔 。 6.如申请专利范围第1项之电路板之切割成形方法, 其中,该线路金属层之材质系为铜金属。 7.如申请专利范围第1项之电路板之切割成形方法, 其中,该保护金属层之材质系为锡金属。 8.如申请专利范围第1项之电路板之切割成形方法, 其中,该保护金属层系利用化学溶液蚀刻方式移除 。 9.如申请专利范围第8项之电路板之切割成形方法, 其中,该化学溶液系采用稀盐酸作主液,另添加铜 离子及双氧水当加速剂,藉以去除该保护金属层。 图式简单说明: 第1图系习知之CMOS sensor电路板之示意图; 第2图系本发明之电路板之切割成形方法之较佳实 施例流程示意图; 第3A及3B图系CMOS sensor电路板之平面示意图; 第4图系切割工具通过CMOS sensor电路板之局部放大 示意图;以及 第5图系CMOS sensor电路板单元之局部示意图。 |
