| 主权项 |
1.一种形成一薄膜体声波共振器的方法,其包含: 在相同的基板上形成复数的薄膜体声波共振器;以 及 由一单一的传导层形成一上部电极,该上部电极系 设置在各薄膜体声波共振器上。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成复数的体 声波共振器包括在相同的基板上,形成复数的串联 连结的薄膜体声波共振器,由至少一并联薄膜体声 波共振器偶合。 3.如申请专利范围第1项之方法,包括形成一通过该 基板之增强条带以增强该基板。 4.如申请专利范围第3项之方法,包括形成至少二平 行的增强条带。 5.如申请专利范围第3项之方法,包括藉由植入通过 该基板之一区域,形成一增强条带。 6.如申请专利范围第5项之方法,包括利用一选自于 硼及氧所组成的群组植入一条带。 7.如申请专利范围第1项之方法,包括利用一背面蚀 刻以蚀刻去除该基板的背面及形成一背面沟槽,而 形成体声波共振器。 8.如申请专利范围第7项之方法,包括利用一蚀刻剂 ,该蚀刻剂不会蚀刻去除形成在该基板上之一增强 条带。 9.如申请专利范围第7项之方法,包括在相同的背面 沟槽上形成至少二共振器。 10.如申请专利范围第1项之方法,包括利用压电材 料之一单一薄膜,在相同的基板上形成一用于复数 的薄膜体声波共振器的压电层。 11.如申请专利范围第10项之方法,包括形成该压电 薄膜图案、移除部分该压电薄膜及以一电介质材 料取代该移除的部分。 12.一种积体电路,包括: 一基板; 复数的薄膜体声波共振器,该等共振器系形成在该 基板上;以及 复数的串联连结的薄膜体声波共振器,由一并联薄 膜体声波共振器偶合。 13.如申请专利范围第12项之电路,在该等共振器下 方包括一单一的背面沟槽。 14.如申请专利范围第13项之电路,包括复数的延伸 通过该凹槽之增强条带。 15.如申请专利范围第14项之电路,其中该增强条带 系以离子植入基板材料形成。 16.如申请专利范围第14项之电路,包括一对平行的 增强条带。 17.如申请专利范围第12项之电路,其中各该等共振 器包括一上部电极,该等共振器之上部电极系共平 面的。 图式简单说明: 第1图系根据本发明之一实施例的薄膜式体声波共 振滤波器之顶视平面图; 第2图系第1图中根据本发明之一实施例之制造的 早期阶段,沿着线2-2的横截面图; 第3图系显示根据本发明之一实施例之制造的后来 阶段; 第4图系显示根据本发明之一实施例之后续阶段; 第5图系显示根据本发明之一实施例之后续阶段; 第6图系显示根据本发明之一实施例之后续阶段; 第7图系显示根据本发明之一实施例之后续阶段; 第8图系显示根据本发明之一实施例之后续阶段; 以及 第9图系显示根据本发明之一实施例之后续阶段。 |
