| 主权项 |
1.一种微机电结构显示单元,位于一基板之上,至少 包含: 一上电极,该上电极至少包含: 一可曲挠部;以及 一遮蔽部,该遮蔽部至少连结于该可曲挠部的一侧 ;以及 一下电极,约位于该可曲挠部的下方; 其中,该可曲挠部受施加电压之该下电极的吸引形 变而改变该上电极的位置。 2.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中该可曲挠部系为一高应力材质。 3.如申请专利范围第2项所述之微机电结构显示单 元,其中该遮蔽部系与该可曲挠部为一相同材质。 4.如申请专利范围第2项所述之微机电结构显示单 元,其中该遮蔽部系与该可曲挠部为一不同材质。 5.如申请专利范围第2项所述之微机电结构显示单 元,其中该遮蔽部系为一低应力材质。 6.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中更包含一介电层位于该上电极及该下电极 之间以绝缘该上电极及该下电极。 7.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中该基板为一透明基板。 8.如申请专利范围第7项所述之微机电结构显示单 元,更可以设置一背光源于该透明基板的下方。 9.如申请专利范围第8项所述之微机电结构显示单 元,其中该上电极的位置的改变可控制该背光源之 光线自该透明基板之透出量。 10.如申请专利范围第7项所述之微机电结构显示单 元,更可以设置一光反射板于该透明基板的下方。 11.如申请专利范围第7项所述之微机电结构显示单 元,更可以设置一光吸收板于该透明基板的下方。 12.如申请专利范围第11项所述之微机电结构显示 单元,该上电极上表面具有一光反射层。 13.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中该下电极的材质为金属、矽化金属、掺杂 多晶矽或金属氧化物。 14.如申请专利范围第13项所述之微机电结构显示 单元,其中该金属氧化物可以为铟锡氧化物、氧化 铟或氧化锡。 15.如申请专利范围第2项所述之微机电结构显示单 元,其中该高应力材质系选自于铬、镍、钼、钛及 其任意组合所组成之族群。 16.如申请专利范围第5项所述之微机电结构显示单 元,其中该低应力材质为银、铝、铜、钼、矽及其 任意组合所组成之族群。 17.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中更包括一吸光物质形成于该上电极的下表 面。 18.如申请专利范围第17项所述之微机电结构显示 单元,其中该吸光物质为树酯或低反射率的金属或 其氧化物。 19.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中该基板为一光吸收基板。 20.如申请专利范围第19项所述之微机电结构显示 单元,该上电极上表面具有一光反射层。 21.如申请专利范围第1项所述之微机电结构显示单 元,其中该基板为一光反射基板。 22.如申请专利范围第19项所述之微机电结构显示 单元,该上电极上表面具有一光吸收层。 23.一种平面显示装置,至少包含: 一透明基板,具有复数个穿透式显示单元位于其上 ,每一该些穿透式显示单元至少包含: 一上电极,该上电极至少包含: 一低应力结构;以及 一高应力结构,该高应力结构至少连结于该低应力 结构的一侧;以及 一下电极,约位于该高应力结构的下方;以及 一背光源,位于该透明基板的下方, 其中,该高应力结构受施加电压于该下电极的吸引 形变而改变位置以控制该背光源之光线自该透明 基板之透出量。 24.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中更包含一彩色滤光片位于该透明基板之上。 25.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中更包含一彩色滤光片位于该透明基板及该背光 源之间或是彩色滤光片及该背光源分别位于该透 明基板之两侧。 26.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中更包含一介电层位于该上电极及该下电极之间 以绝缘该上电极及该下电极。 27.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中该下电极的材质为金属、矽化金属、掺杂多晶 矽或金属氧化物。 28.如申请专利范围第27项所述之平面显示装置,其 中该金属氧化物可以为铟锡氧化物、氧化铟或氧 化锡。 29.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中该高应力结构的材质系选自于铬、镍、钼、钛 及其任意组合所组成之族群。 30.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中该低应力结构的材质为银、铝、铜、钼、矽及 其任意组合所组成之族群。 31.如申请专利范围第23项所述之平面显示装置,其 中更包括一吸光物质形成于该低应力电极的下表 面或上表面。 32.如申请专利范围第31项所述之平面显示装置,其 中该吸光物质为树酯或低反射率的金属或其氧化 物。 33.一种平面显示装置,至少包含: 一透明基板,具有复数个穿透式显示单元位于其上 ,每一该些穿透式显示单元至少包含: 一上电极,该上电极至少包含: 一低应力结构,该低应力结构之上表面具有一吸光 层;以及 一高应力结构,该高应力结构至少连结于该低应力 结构的一侧;以及 一下电极,约位于该高应力结构的下方;以及 一光反射板,位于该透明基板的下方, 其中,该高应力结构受施加电压之该下电极的吸引 形变而改变该上电极的位置以控制该光反射板反 射一入射光之透出量。 34.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中更包含一彩色滤光片位于该透明基板之上。 35.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中更包含一介电层位于该上电极及该下电极之间 以绝缘该上电极及该下电极。 36.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中该下电极的材质为金属、矽化金属、掺杂多晶 矽或金属氧化物。 37.如申请专利范围第36项所述之平面显示装置,其 中该金属氧化物可以为铟锡氧化物、氧化铟或氧 化锡。 38.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中该高应力结构的材质系选自于铬、镍、钼、钛 及其任意组合所组成之族群。 39.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中该低应力结构的材质为银、铝、铜、钼、矽及 其任意组合所组成之族群。 40.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中更包括一吸光物质形成于该低应力结构的下表 面。 41.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中更包括一吸光物质形成于该上电极之上表面。 42.如申请专利范围第33项所述之平面显示装置,其 中该吸光物质为树酯或低反射率的金属或其氧化 物。 43.一种平面显示装置,至少包含: 一透明基板,具有复数个穿透式显示单元位于其上 ,每一该些穿透式显示单元至少包含: 一上电极,该上电极至少包含: 一低应力结构,该低应力结构之上表面具有一光反 射层;以及 一高应力结构,该高应力结构连结于该低应力结构 的一侧;以及 一下电极,约位于该高应力结构的下方;以及 一光吸收板,位于该透明基板的下方, 其中,该高应力结构受施加电压之该下电极的吸引 形变而改变该上电极的位置以控制该光反射层反 射一入射光之量。 44.如申请专利范围第43项所述之平面显示装置,其 中更包含一彩色滤光片位于该透明基板之一侧。 45.如申请专利范围第43项所述之平面显示装置,其 中更包含一介电层位于该上电极及该下电极之间 以绝缘该上电极及该下电极。 46.如申请专利范围第43项所述之平面显示装置,其 中该下电极的材质为金属、矽化金属、掺杂多晶 矽或金属氧化物。 47.如申请专利范围第46项所述之平面显示装置,其 中该金属氧化物可以为铟锡氧化物、氧化铟或氧 化锡。 48.如申请专利范围第43项所述之平面显示装置,其 中该高应力结构的材质系选自于铬、镍、钼、钛 及其任意组合所组成之族群。 49.如申请专利范围第43项所述之平面显示装置,其 中该低应力结构的材质为银、铝、铜、钼、矽及 其任意组合所组成之族群。 50.如申请专利范围第43项所述之平面显示装置,该 上电极上表面具有一光反射层。 图式简单说明: 第1图系绘示本发明所提供之穿透式显示单元的立 体示意图; 第2图系绘示本发明所提供之穿透式显示单元的剖 面示意图; 第3图系绘示将本发明所揭露的穿透式显示单元运 用于彩色平面显示装置之上; 第4图系绘示将本发明所揭露的穿透式显示单元运 用于彩色平面显示装置之上的另一实施例; 第5图系绘示本发明所提供之反射式显示单元的剖 面示意图;以及 第6图系绘示本发明所提供之另一反射式显示单元 的剖面示意图。 |
