| 主权项 |
1.一种彩色影像感测元件的制造方法,包括下列步 骤: 提供一基板,包括一感测画素阵列于该基板之主要 区域,一接触垫于该基板之周边区域上; 形成一保护层于该基底上,覆盖该感测画素阵列与 该接触垫; 形成一第一平坦层于该保护层上; 形成一彩色滤光层于该第一平坦层上,对应该感测 画素阵列区域; 形成一第二平坦层于该第一平坦层上,覆盖该彩色 滤光层; 定义一第一开口于该第二平坦层中,显露出该第一 平坦层,该第一开口位于相对应该接触垫的位置; 以及 沿该第一开口乾蚀刻该第一平坦层,以形成一第二 开口于该第一平坦层与该保护层中,显露出该接触 垫。 2.如申请专利范围第1项所述之彩色影像感测元件 的制造方法,其中该保护层包括氧化矽或氮化矽。 3.如申请专利范围第1项所述之彩色影像感测元件 的制造方法,其中该第一平坦层包括高透光度光阻 ,其透光度大于或等于95%。 4.如申请专利范围第1项所述之彩色影像感测元件 的制造方法,其中形成该彩色滤光层的步骤包括: 形成一第一彩色层于该第一平坦层上; 施以曝光及显影制程,以形成图案化第一彩色滤光 元件于该感测画素阵列上; 形成一第二彩色层于该第一平坦层上; 施以曝光及显影制程,以形成图案化第二彩色滤光 元件于该感测画素阵列上; 形成一第三彩色层于该第一平坦层上; 施以曝光及显影制程,以形成图案化第三彩色滤光 元件于该感测画素阵列上。 5.如申请专利范围第1项所述之彩色影像感测元件 的制造方法,其中该第二平坦层系由光阻材料所构 成。 6.如申请专利范围第1项所述之彩色影像感测元件 的制造方法,其中定义该第一开口的步骤系以一显 影步骤形成。 7.如申请专利范围第1项所述之彩色影像感测元件 的制造方法,更包括形成一微透镜阵列于该第二平 坦层上,对应该感测画素阵列区域。 8.一种彩色影像感测元件的制造方法,包括下列步 骤: 提供一基板,包括一感测画素阵列于该基板之主要 区域,一接触垫于该基板之周边区域上; 形成一保护层于该基底上,覆盖该感测画素阵列与 该接触垫; 形成一第一平坦层于该保护层上; 形成一彩色滤光层于该第一平坦层上,对应该感测 画素阵列区域; 形成一第二平坦层于该第一平坦层上,覆盖该彩色 滤光层; 形成一第三平坦层于第二平坦层上; 定义一第一开口于该第三平坦层中,显露出该第二 平坦层,该第一开口位于相对应该接触垫的位置; 定义一第二开口于该第二平坦层中,显露出该第一 平坦层,该第二开口位于相对应该接触垫的位置; 以及 沿该第一开口乾蚀刻该第一平坦层,以形成一第三 开口于该第一平坦层与该保护层中,显露出该接触 垫。 9.一种彩色影像感测元件,包括: 一基底,包括一感测画素阵列于该基板之主要区域 ,一接触垫于该基板之周边区域; 一保护层,设置于该基底上,覆盖该感测画素阵列 与该接触垫; 一第一平坦层,设置于该保护层上; 一彩色滤光层,设置于该第一平坦层上,对应该感 测画素阵列区域; 一第二平坦层,设置于该第一平坦层上,覆盖该彩 色滤光层; 一第三平坦层设置于该第二平坦层上,该第三平坦 层具有一第一开口,位于相对应该接触垫的位置; 一第二开口,以显影步骤形成于第二平坦层中,位 于相对应该接触垫的位置;以及 一第三开口,以乾蚀刻步骤形成于该第一平坦层与 该保护层中,位于相对应该接触垫的位置。 10.如申请专利范围第9项所述之彩色影像感测元件 ,其中该保护层包括氧化矽或氮化矽。 11.如申请专利范围第9项所述之影像感测元件,其 中该第一平坦层包括高透光度光阻,其透光度大抵 大于或等于95%。 12.如申请专利范围第9项所述之彩色影像感测元件 ,其中该彩色滤光层包括含红、绿、蓝三原色之彩 色滤光元件。 13.如申请专利范围第9项所述之彩色影像感测元件 ,其中该第二平坦层系由光阻材料所构成。 14.如申请专利范围第9项所述之彩色影像感测元件 ,更包括一微透镜阵列于该第三平坦层上,对应该 感测画素阵列区域。 图式简单说明: 第1图系显示传统之彩色影像感测装置晶片通常包 括感测画素阵列于晶片之主要区域,复数个接触垫 于该晶片之周边区域上; 第2A-2E图系显示习知技术沿第1图之V-V'观看之制程 剖面图;以及 第3A-3F图系显示根据本发明实施例之彩色影像感 测元件的制程剖面图。 |
