| 主权项 |
1.一种线型半导体发光装置,包含: 一线型导光体; 一半导体发光元件,设置于该线型导光体之一端, 而该线型导光体导引该半导体发光元件所发出之 光线;以及 一萤光体组成,其浓度随远离该半导体发光元件之 距离由疏至密地分布在该线型导光体中,该萤光体 组成反射该半导体发光元件所发出之光线,使得该 线型半导体发光装置的长度方向上各处发光的亮 度实质上相同。 2.如申请专利范围第1项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型导光体包含一线型透明导管及一设 置在该线型透明导管中的导光层。 3.如申请专利范围第2项所述之线型半导体发光装 置,其中该萤光体组成系分布在该线型透明导管中 。 4.如申请专利范围第2项所述之线型半导体发光装 置,其中该萤光体组成系分布在该导光层中。 5.如申请专利范围第1项所述之线型半导体发光装 置,其发光为白光。 6.如申请专利范围第5项所述之线型半导体发光装 置,其中该半导体发光元件所发出之光线的波长范 围是由蓝光至紫外光,而该萤光体组成包含绿色萤 光体及红色萤光体。 7.如申请专利范围第1项所述之线型半导体发光装 置,其中该半导体发光元件包含发光二极体。 8.如申请专利范围第1项所述之线型半导体发光装 置,其中该半导体发光元件包含雷射二极体。 9.如申请专利范围第2项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型透明导管之材质包含塑胶。 10.如申请专利范围第2项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型透明导管之材质包含玻璃。 11.如申请专利范围第3项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型透明导管包含实心构造。 12.如申请专利范围第3项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型透明导管包含空心构造。 13.如申请专利范围第4项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型透明导管包含实心构造,且该导光 层系设置于该线型透明导管之外壁表面上。 14.如申请专利范围第4项所述之线型半导体发光装 置,其中该线型透明导管包含空心构造。 15.如申请专利范围第14项所述之线型半导体发光 装置,其中该导光层系设置于该线型透明导管之外 壁表面上。 16.如申请专利范围第14项所述之线型半导体发光 装置,其中该导光层系设置于该线型透明导管之内 壁表面上。 17.一种线型半导体发光装置,包含: 一线型导光体; 二半导体发光元件,分别设置于该线型导光体之两 端,而该线型导光体导引该些半导体发光元件所发 出之光线;以及 一萤光体组成,其浓度分别随远离该些半导体发光 元件之距离由疏至密地分布在该线型导光体中,该 萤光体组成反射该些半导体发光元件所发出之光 线,使得该线型半导体发光装置的长度方向上各处 发光的亮度实质上相同。 18.如申请专利范围第17项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型导光体包含一线型透明导管及一 设置在该线型透明导管中的导光层。 19.如申请专利范围第18项所述之线型半导体发光 装置,其中该萤光体组成系分布在该线型透明导管 中。 20.如申请专利范围第18项所述之线型半导体发光 装置,其中该萤光体组成系分布在该导光层中。 21.如申请专利范围第17项所述之线型半导体发光 装置,其发光为白光。 22.如申请专利范围第21项所述之线型半导体发光 装置,其中该些半导体发光元件所发出之光线的波 长范围是由蓝光至紫外光,而该萤光体组成包含绿 色萤光体及红色萤光体。 23.如申请专利范围第17项所述之线型半导体发光 装置,其中该些半导体发光元件包含发光二极体。 24.如申请专利范围第17项所述之线型半导体发光 装置,其中该些半导体发光元件包含雷射二极体。 25.如申请专利范围第18项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型透明导管之材质包含塑胶。 26.如申请专利范围第18项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型透明导管之材质包含玻璃。 27.如申请专利范围第19项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型透明导管包含实心构造。 28.如申请专利范围第19项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型透明导管包含空心构造。 29.如申请专利范围第20项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型透明导管包含实心构造,且该导 光层系设置于该线型透明导管之外壁表面上。 30.如申请专利范围第20项所述之线型半导体发光 装置,其中该线型透明导管包含空心构造。 31.如申请专利范围第30项所述之线型半导体发光 装置,其中该导光层系设置于该线型透明导管之外 壁表面上。 32.如申请专利范围第30项所述之线型半导体发光 装置,其中该导光层系设置于该线型透明导管之内 壁表面上。 图式简单说明: 第1图系依据本创作之第一实施例之线型半导体发 光装置之示意图。 第2图系依据本创作之第二实施例之线型半导体发 光装置之示意图。 |
