发明名称 影像感测器封装方法及其结构
摘要 一种影像感测器封装方法及其结构,是将透光层先行制作后,再与半成品晶片结合之封装方法,包括有:先选取一底材,并于底材之一面上形成有一第一黏着物,将透光材料对准贴覆于第一黏着物,进行透光材料表面切割或划割,在切割或划割后之割痕深度已贯穿透光材料,但未割穿第一黏着物,进行清洗及透光材料表面框胶程序后,将反转180°对准结合表面形成有复数微透镜之半成品晶片上,该微透镜即封装于透光层内部,即完成透光层与晶片之结合,再进行晶片研磨、微影后,将底材与部份微影后之第一黏着物分离,再进行切割或划割,即完成影像感测器封装程序。
申请公布号 TWI234215 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW093124355 申请日期 2004.08.13
申请人 久元电子股份有限公司 发明人 刘华湘
分类号 H01L21/60;H01L23/28 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 1.一种影像感测器封装方法,是将透光层先行制作 后,再与半成品晶片结合之封装方法,包括有: a)、先选取一底材,并于底材之一面上形成有一第 一黏着物,将透光材料对准贴覆于第一黏着物; b)、待上述完成后进行透光材料表面切割或划割, 在切割或划割后之割痕深度已贯穿透光材料,但未 割穿第一黏着物; c)、待上述透光材料表面切割或划割完成后,进行 清洗及透光材料表面框胶程序后,即完成透光层制 作; d)、待上述框胶程序后,将透光层反转180对准结合 表面形成有复数微透镜之半成品晶片上,该微透镜 即封装于透光层内部,即完成透光层与晶片之结合 。 2.如申请专利范围第1项所述之影像感测器封装方 法,其中,该底材为具有透光效果之玻璃材料所构 成。 3.如申请专利范围第2项所述之影像感测器封装方 法,其中,该第一黏着物为UV两面胶或可透光热溶两 面胶之任一种。 4.如申请专利范围第1项所述之影像感测器封装方 法,其中,该透光材料系可供光线穿过之玻璃材料 所构成。 5.如申请专利范围第1项所述之影像感测器封装方 法,其中,该透光材料表面利用切割或划割机台切 割或划割形成有复数呈矩阵排列之小面积透光材 料。 6.如申请专利范围第1项所述之影像成测器封装方 法,其中,该清洗是利用超音波方式对整片的透光 材料进行清洗。 7.如申请专利范围第1项所述之影像感测器封装方 法,其中,该框胶程序是利用印刷方式将以环氧基 为材料之第二黏着物(EPOXY)均匀的印刷(或喷涂、 喷洒)于透光材料之每一小面积透光材料表面上, 以形成一遮蔽层。 8.如申请专利范围第7项所述之影像感测器封装方 法,其中,该遮蔽层对应于小面积透光材料间形成 有一容置空间。 9.一种影像感测器封装方法,是将透光层先行制作 后,再与半成品晶片结合之封装方法,包括有: a)、先选取一底材,并于底材之一面上形成有一第 一黏着物,将透光材料对准贴覆于第一黏着物; b)、待上述完成后进行透光材料表面切割或划割, 在切割或划割后之割痕深度已贯穿透光材料,但未 割穿第一黏着物; c)、待上述透光材料表面切割或划割完成后,进行 清洗及透光材料表面框胶程序后,即完成透光层制 作; d)、待上述框胶程序后,将透光层反转180对准结合 表面形成有复数微透镜之半成品晶片上,该微透镜 即封装于透光层内部,即完成透光层与晶片之结合 ; e)、在上述之透光层与晶片结合后,进行晶片研磨 、微影后,将底材与部份微影后之第一黏着物分离 ,再进行切割或划割,即完成影像感测器封装程序 。 10.如申请专利范围第9项所述之影像感测器封装方 法,其中,该透光层与半成品晶片结合后,研磨使晶 片厚度变薄,在晶片研磨过程中,假设玻璃未去除 时,可以均匀施压于底材表面上,让晶片被研磨面 能够均匀,也不会造成晶片破损。 11.如申请专利范围第9项所述之影像感测器封装方 法,其中,该微影主要于底材之另一面印刷(喷涂、 喷洒)有光阻(光罩),该光阻对应于透光材料表面之 两割痕间。 12.如申请专利范围第11项所述之影像感测器封装 方法,其中,在微影后受光阻遮蔽处之第一黏着物 仍具有黏着性,且两割痕内部底端间的接触面积大 于两割痕闭口内侧间的接触面积,可以采取以垂直 方式分离底材与部份透光材料。 13.一种影像感测器封装结构,是将透光层先行制作 后,再与半成品晶片结合之结构,包括有: 一晶片,其上至少形成有一微透镜; 一透光层,系封接于上述晶片上,其上至少形成有 一透光材料,该透光材料上形成有一与晶片结合并 封闭微透镜之第二黏着物。 图式简单说明: 第一图,系本发明之影像感测器示意图。 第二-四图,系本发明之底材上胶与透光材料结合 过程示意图。 第五-七图,系本发明之透光材料表面进形切割或 划割过程示意图。 第八-十图,系本发明之透光材料、底材、第一黏 着物结合切割或划割后与进行印刷(喷涂或喷洒) 及与半成品之晶片结合示意图。 第十一、十二图,系本发明之晶片厚度研磨示意图 。 第十三-十六图,系本发明之影像感测器进行微影 制作过程示意图。 第十七、十八图所示,系本发明之晶片表面完成封 罩之切割状态示意图。
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