| 摘要 |
In dem Belichtungsschritt wird die Kombination einer ersten Photomaske (34) und einer zweiten Photomaske (46) verwendet. Die erste Maske weist ein echtes Muster (4), das dem tatsächlich auf dem zu bearbeitenden Film (22) ausgebildeten Muster entspricht, und ein Hilfsmuster (6), das hinzugefügt ist zum Steuern des Musterrastermaßes bei der ersten Photomaske (34) innerhalb eines vorbestimmten Bereichs, auf; und die zweite Photomaske (46) weist ein Muster (8) auf, das einen Echtes-Muster-Bildungsbereich (10) von einem Hilfsmusterbildungsbereich trennt. Beim Bilden des Musters (24), nach dem Bilden eines zu bearbeitenden Films (22) auf einem Substrat (20), wird eine erste Maske (40) auf dem zu bearbeitenden Film (22) durch Lithographie unter Verwendung der ersten Photomaske gebildet, und eine zweite Maske (50) wird auf dem zu bearbeitenden Film durch Lithographie unter Verwendung der zweiten Photomaske gebildet. Danach wird der zu bearbeitende Film (22) unter Verwendung der ersten und der zweiten Maske als Masken derart weggeätzt, dass das Muster (24) gebildet wird. |
