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Die Erfindung bezieht sich auf eine Diodenstruktur (92) mit einer inneren n-Wanne (4) als Kathodenstruktur und einer die innere Wanne (4) umgebenden p-Wanne (3) als Anodenstruktur. Die p-Wanne (3) ist in eine äußere n-Wanne (2) mit vergleichsweise hoher Dotierung eingebettet, die auf einem p-dotierten Grundsubstrat (6) aufliegt und durch vertikale p-Sinkerstrukturen (51, 52) von weiteren im selben Halbleitersubstrat (1) ausgebildeten n-Wannen (24) weiterer Halbleiterstrukturen, wie etwa Leistungstransistoren (91), getrennt wird. Ein inneres Kontaktgebiet (41, 42) der inneren Wanne (4) mit gegenüber der umgebenden inneren Wanne (4) vergleichsweise hoher Dotierung umfasst neben n-dotierten (41) auch p-dotierte Teilgebiete (42). Durch den damit zusätzlich ausgebildeten parasitären pnp-Kontakttransistor (T3) werden Feldstärkeverteilung und Stromdichte innerhalb der inneren Wanne (4) in einer Weise verändert, dass die Diodenstruktur (92) eine hohe Festigkeit gegen elektrostatische Entladungen an ihren Anschlüssen (A, K) aufweist.
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