发明名称 Mehrstufige Ladungspumpenschaltung
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf eine Ladungspumpenschaltung mit einer Mehrzahl von Verstärkerstufen (60, 70, 80, 90), welche Eingabeknoten (16, 17, 18, 19) und Verstärkungskonten (O6, O7, O8, O9) umfassen und welche in Reihe geschaltet sind, wobei die jeweilige Verstärkerstufe einen Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) mit einem ersten Anschluss, welcher mit einem der Eingabeknoten verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, welcher mit einem der Verstärkungsknoten verbunden ist, und einen ersten Schalttransistor (P62, P72, P82, P92), umfasst. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist der erste Schalttransistor darauf ausgelegt, einen Spannungspegel an einem Volumenbereich (B6, B7, B8, B9) des Ladungstransfertransistors gleich einem Spannungspegel am ersten Anschluss des Ladungstransfertransistors zu machen, während Ladungen durch den Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) übertragen werden, wobei ein Gate des ersten Schalttransistors mit einem Gate des Ladungstransfertransistors verbunden ist. DOLLAR A Verwendung z. B. für nichtflüchtige, lösch- und programmierbare Halbleiterspeicherbausteine.
申请公布号 DE102004052200(A1) 申请公布日期 2005.06.09
申请号 DE200410052200 申请日期 2004.10.20
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 HAHN, WOOK-GHEE;BYEON, DAE-SEOK
分类号 G11C16/06;G05F3/02;G11C16/30;H02M3/07;H03K17/06;H03K17/687;(IPC1-7):H02M3/07 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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