Transistorstruktur, Speicherzelle, DRAM und Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur in einem Halbleitersubstrat

摘要

Transistorstrukturen (3), deren einer Source/Drain-Bereich (31) mit einer zu isolierenden Ladungsspeichereinrichtung (41) verbunden ist, werden mit einer asymmetrischen Gateleiterstruktur (2) vorgesehen. Die asymmetrische Gateleiterstruktur (2) weist an einer dem einen Source/Drain-Bereich (31) zugewandten ersten Seitenwand (201) ein Seitenwandoxid (251) mit einer größeren Dicke sowie eine Birds-Beak-Struktur (271) mit einer größeren Länge auf als an einer gegenüberliegenden zweiten Seitenwand (202). Eine effektive Kanallänge ist bei gleicher Strukturweite der Gateleiterstruktur (2) vergrößert. Speicherzellen lassen sich in höherer Dicht ausführen.