发明名称 |
流体喷射头及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种流体喷射头结构及其制造方法。流体喷射头结构形成在一基材上,其包括有一歧管,至少一气泡产生器及一导电线路,其中具有至少两排相连通于歧管且位于歧管两侧的流体腔,而导电线路设于歧管上方的基材表面,通过部分的导电线路位于二排流体腔之间,用以驱动该气泡产生器。 |
申请公布号 |
CN1205038C |
申请公布日期 |
2005.06.08 |
申请号 |
CN01143335.3 |
申请日期 |
2001.12.20 |
申请人 |
明基电通股份有限公司 |
发明人 |
黄宗伟;陈志清 |
分类号 |
B41J2/05;B41J2/14;B05B1/02;B05B1/24 |
主分类号 |
B41J2/05 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陈小雯;肖鹂 |
主权项 |
1.一种流体喷射头,该流体喷射头包括有:一基材;一歧管,形成于该基材内;其特征在于,该流体喷射头还包括:至少两排流体腔,各该流体腔相连通于该歧管且位于该歧管的两侧,用来使一流体由该歧管流至该流体腔;至少一气泡产生器,形成于该基材上,且位于相对应的该流体腔内;一导电线路,位于该歧管上方的该基材表面,且部分的该导电线路位于该至少二排流体腔之间,用以驱动该气泡产生器;一第一金氧半场效应晶体管,设于一第一流体腔外端;以及一第二金氧半场效应晶体管,设于一第二流体腔外端;其中该第一金氧半场效应晶体管以及该第二金氧半场效应晶体管用于驱动该气泡产生器,并且该第一金氧半场效应晶体管以及该第二金氧半场效应晶体管分别形成在该歧管的相对两侧。 |
地址 |
台湾省桃园县 |