形成金属－绝缘体－金属电容的方法

摘要

本发明揭示了一种于包含介电层、铜底部平板、铜布线及障蔽层的基层上形成金属－绝缘体－金属电容的方法，此金属－绝缘体－金属电容嵌入铜互连之中。该方法包含下列步骤：在该障蔽层上方的介电质中形成镶嵌(damascene)结构的通孔开口以及欲当作金属－绝缘体－金属电容上平板的开口；沉积一介电层于上述开口之上，此介电层当作金属－绝缘体－金属电容的中间绝缘体；形成一光阻层于欲当作金属－绝缘体－金属电容上平板的开口上方；执行一各向异性蚀刻步骤以去除通孔开口底下的介电层而暴露底下的铜布线，其中通孔开口的侧壁仍余留有介电层以充当金属障蔽；接着执行一般铜互连工艺的必要步骤(包含金属障蔽沉积、铜晶种沉积、铜电镀、及化学机械研磨)，以完成金属－绝缘体－金属电容。

主权项

1.一种于基层上配合铜互连工艺以形成金属-绝缘体-金属电容的方法，此基层包含介电层、铜底部平板、铜布线及障蔽层，该方法包含：在该障蔽层上方的介电质中形成镶嵌结构的通孔开口以及欲当作金属-绝缘体-金属电容上平板的开口；沉积一介电层于上述开口之上，此介电层当作金属-绝缘体-金属电容的中间绝缘体；形成一光阻层于欲当作金属-绝缘体-金属电容上平板的开口上方；执行一各向异性蚀刻步骤以去除通孔开口底下的介电层而暴露底下的铜布线，其中通孔开口的侧壁仍余留有介电层；移除该光阻层；执行金属障蔽沉积；执行铜电镀以形成金属-绝缘体-金属电容上平板；及执行化学机械研磨以使表面平坦化。