| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATION A SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050053497(A) |
申请公布日期 |
2005.06.08 |
| 申请号 |
KR20040099022 |
申请日期 |
2004.11.30 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
AMON JURGEN;FAUL JURGEN;ALSMEIER JOHANN;GOLDBACH MATTHIAS;KIESLICH ALBRECHT;MULLER RALF;OFFENBERG DIRK;SCHUSTER THOMAS |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/265;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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