灰化方法

摘要

本发明提供了高压下使用快速传热的灰化(ashing)方法。本发明的方法适用于所有光刻胶的灰化过程，其通过烘烤热托盘上的高剂量离子注入硅基片而能够在灰化步骤中不产生爆裂(poping)的情况下快速除去硬化的光刻胶，在让传统的设备可以继续使用的同时，通过大幅度降低灰化过程的时间而提高了灰化量。本发明的方法包括以下步骤：原位烘烤步骤，本步骤中硅基片被放到热托盘上在10托或更高的压力下烘烤预定的时间；真空化步骤，本步骤中当硅基片被放到热托盘上时达到稳定的真空状态；气体处理步骤，本步骤中把已选择好的反应气体引入反应室中；灰化步骤，本步骤中产生等离子体直到几乎所有的光刻胶都被去除。

主权项

1.一种灰化方法，包括：原位烘烤步骤，这一步骤中，硅基片放置在热托盘上，在10托或更高的压力下烘烤预定的时间；真空化步骤，这一步骤中，在硅基片被放置在热托盘上时达到稳定的真空状态；气体处理步骤，这一步骤中，把已选择好的反应气体注入反应室中；灰化步骤，这一步骤中，产生等离子体，直到几乎所有的光刻胶都被除去。