发明名称 |
自持暗放电碳纳米管薄膜气体传感器及其气体浓度测量法 |
摘要 |
本发明涉及一种用放电型气体传感器直接准确测量气体浓度的方法及碳纳米管薄膜气体传感器,特征包括:通过放电特性测试系统测量传感器击穿电压以获得传感器一维或二维或多维原始初始模型;采用插值拟合法建立插值初始模型;进行单值转换,建立传感器的二次重构模型;再建立二次重构模型的逆模型;传感器由两片ITO膜导电玻璃或两片导电材料构成,阴阳极均有多孔,阴极孔上粘贴有碳纳米管薄膜;电极间距为结构特征参量。 |
申请公布号 |
CN1624469A |
申请公布日期 |
2005.06.08 |
申请号 |
CN200410026243.9 |
申请日期 |
2004.06.17 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
刘君华;张勇;朱长纯;李昕 |
分类号 |
G01N27/92;G01N27/407 |
主分类号 |
G01N27/92 |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 |
代理人 |
张俊阁 |
主权项 |
1、自持暗放电碳纳米管薄膜气体传感器气体浓度测量方法,其特征在于:以传感器的击穿电压(Vs)与被测气体浓度()之间的关系和原型传感器阴阳极间距与击穿电压的关系作为测量气体浓度的依据;通过放电特性测试系统标定各类不同气体、不同浓度和不同极间距下的击穿电压(Vs)的原始标准数据;通过所建立的数学模型和处理方法,将淹没在噪声中的无法识别的气体传感器信号处理为单值的可识别信号。 |
地址 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |