| 发明名称 | 横向多晶硅PIN二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有横向延伸的I区的P型区-本征区-N型区二极管，包括大晶粒多晶硅，并具有形成在厚氧化物隔离层上的扩大的本征区。本发明还提供横向P型区-本征区-N型区二极管，包括：半导体基板；场隔离部件；在场隔离部件的主表面上方和上面形成的P型区-本征区-N型区二极管主体，其中本征区位于N型和P型区之间并与之毗邻；形成在二极管主体的主表面上的氧化物膜及掩模组件，其中掩模组件在本征区上对准，并且其中掩模组件具有在其中确定的N型和P型边缘注入，其中每个所述注入与二极管主体的相应类型区贴近。本发明还提供了制造本发明的二极管的方法，该方法与诸如硅锗BiCMOS工艺的现代RF技术兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN1205675C | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN01138535.9 | 申请日期 | 2001.11.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·R·格林伯格;戴尔·K·杰达斯;塞沙德里·萨班纳;基思·M·沃尔特 |
| 分类号 | H01L29/868;H01L21/328;H01L31/075 | 主分类号 | H01L29/868 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种横向P型区-本征区-N型区二极管，包括大晶粒多晶硅，并具有形成在厚氧化物隔离层上的扩大的本征区。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||