发明名称 制备基底的方法,测量方法,器件制造方法,光刻装置,计算机程序和基底
摘要 多个对准标记以相对于基底的晶轴成一定角范围印制在基底上的抗蚀剂中。利用各向异性刻蚀方法将这些标记刻蚀在基底中,标记使刻蚀之后它们的视位置取决于它们相对于晶轴的取向。测量这些标记的视位置,并根据视位置获得晶轴取向。
申请公布号 CN1624589A 申请公布日期 2005.06.08
申请号 CN200410100027.4 申请日期 2004.11.30
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 P·坦伯格;G·J·J·基塞斯
分类号 G03F7/20;H01L21/00 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京
主权项 1.一种制备基底的方法,包括:将多个对准标记设置在所述基底表面的各个预定位置处,所述对准标记中不同的对准标记相对于所述基底的晶轴具有不同的取向,所述对准标记的形式使它们的视位置取决于它们相对于所述晶轴的取向。
地址 荷兰维尔德霍芬