发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种通过在半导体基板的背面侧形成薄的树脂层,从而可以防止半导体基板的翘曲,可以良好地进行半导体基板的薄型化(表面磨削处理),并且,由此可以降低半导体装置中产生的裂纹或损害的半导体装置的制造方法和制造装置。其特征在于,具有:半导体基板(1);形成于半导体基板(1)的一个表面上的突起电极(2)或配线中的至少一方,同时,具有:形成于半导体基板(1)的一个表面上的第一树脂膜(3)和形成于半导体基板(1)的另一表面上的第二树脂膜(4),第二树脂膜(4)具有吸收对该半导体基板(1)的另一个表面的冲击程度的低弹性,并且比半导体基板的厚度还薄。
申请公布号 CN1624879A 申请公布日期 2005.06.08
申请号 CN200410098024.1 申请日期 2004.12.03
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 柴田和孝
分类号 H01L21/304;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/38 主分类号 H01L21/304
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘建
主权项 1.一种半导体装置,其特征在于,具有:具有第一面和第二面的半导体基板;形成于所述半导体基板的第一面上的第一树脂膜;和形成于所述半导体基板的第二面上的第二树脂膜,在所述半导体基板上形成突起电极或配线,所述第二树脂膜具有可吸收对所述半导体基板的第二面的冲击的低弹性树脂,所述第二树脂膜比半导体基板还薄。
地址 日本京都府