半导体器件及其制造方法

摘要

布线结构的通路位置处，具有至少一个工艺辅助结构，可以改善处理或提高处理裕度。有助于使通路位置上的可流动层更均匀，有助于形成通路开口。当在工艺辅助结构上形成抗蚀层，和在通路位置上形成绝缘层时，抗蚀层和绝缘层在器件内多数通路位置上具有更均匀的厚度。抗蚀剂曝光或通路开口腐蚀期间的更好控制允许更高的工艺裕度。这里所述实施例示出了设置工艺辅助结构的灵活性。

主权项

1、一种半导体器件，包括：具有互连部分(72，702，802，502，402，602，902，1102，1202)和通路位置(84，74，704，804，504，404，603，904，1104，1204)的导体(75，700，800，500，400，614，908，1105，1205)，其中互连部分具有厚度和最小宽度；及在所述通路位置附近的第一组至少一个工艺辅助结构(210，70，706，806，506，406，608，906，1106，1206)，其中：第一组至少一个工艺辅助结构与所述导体隔开第二距离，其中第二距离不大于10微米或不大于所述厚度或不大于最小宽度的15倍；以及至少一个工艺辅助结构包括单个工艺辅助结构，其中所述单个工艺辅助结构具有大于3微米且不大于100微米的侧边尺寸。