| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其可以避免多晶硅上的硅化物层和其它部分之间的漏电流。提供一种半导体器件，包括邻接的n型和p型多晶硅，以及在其上从n型多晶硅延伸到p型多晶硅的硅化物层。硅化物层形成在n型和p型多晶硅的除其外围外的上表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1624867A | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN200410097901.3 | 申请日期 | 2004.12.06 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 泉胜也 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：邻接的n型和p型多晶硅；以及在其上从所述n型多晶硅延伸到所述p型多晶硅的硅化物层，其中所述硅化物层形成在所述n型和p型多晶硅的除其外围外的上表面上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||