| 发明名称 | 平面雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 本发明包括一种平面雪崩光电二极管，其包括限定平面接触区域的第一n－型半导体层，和具有p－型扩散区域的第二n－型半导体层。该结构进一步的特征包括n－型半导体倍增层、n－型半导体吸收层，以及p－型接触层。进一步的实施例包括一种平面雪崩光电二极管，其具有限定平面接触区域的第一n－型半导体层，n－型半导体倍增层，n－型半导体吸收层，以及与p－型接触层电耦合的p－型半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1625813A | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN03803038.1 | 申请日期 | 2003.02.03 |
| 申请人 | 派克米瑞斯公司 | 发明人 | 柯呈佶;巴里·莱文 |
| 分类号 | H01L31/072;H01L31/109;H01L31/0328 | 主分类号 | H01L31/072 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种平面雪崩光电二极管，包括：限定接触区域的第一n-型半导体层；具有p-型扩散区域的第二n-型半导体层；n-型半导体倍增层；n-型半导体吸收层；和p-型接触层；其中p-型扩散区域布置成与p-型接触层直接相邻。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||