| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能以高精度进行定位而不使性能恶化的半导体装置及其制造方法。只在与整个定位标记区域(11A)及沟槽(10C)对应的埋入氧化硅膜(2)上形成抗蚀图案(51)，采用干法蚀刻进行预蚀刻处理，将存储单元区域(11B)的整个表面及外围电路区域(11C)的一部分上的氧化硅膜(2)除去规定部分。进行CMP处理，进一步将氧化硅膜(3)及氮化硅膜(4)除去，在氧化硅膜(2A)的最上部与最下部表面之间形成高低差，从而形成定位标记。 | ||
| 申请公布号 | CN1205664C | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN98107365.4 | 申请日期 | 1998.04.27 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 岩松俊明 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 姜郛厚;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，由沟槽型元件隔离结构在半导体元件之间实现元件隔离，其特征在于，备有：半导体衬底；定位标记区域，在上述半导体衬底上形成，在其上层部具有第1沟槽及在上述第1沟槽内形成的定位用绝缘膜；及元件形成区域，在上述半导体衬底上形成，具有在多个半导体元件之间进行绝缘隔离的元件隔离用绝缘膜；将上述元件隔离用绝缘膜充填于在上述半导体衬底的上层部形成的第2沟槽内，使上述定位用绝缘膜的最上部高于上述半导体衬底的表面并使最下部的表面高度低于上述半导体衬底的表面高度，从而在上述定位用绝缘膜上形成高低差。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||