使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺

摘要

本发明提供一种制造集成电路器件的方法，具体地说涉及使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺。这个方法包括提供一个含有硅材料的监测晶片。此方法将一些粒子注入进硅材料的一定深度。这些粒子在硅材料中激发能被降低。将含有这些注入粒子的监测晶片置入急速热退火的工艺中处理。也就是在第一温度下的第一状态进行急速的热退火的工艺过程。第一温度是在一个小于650℃的被定义为低温区的区域内。方法然后将晶片取出测量其平面电阻并在跨晶片容许误差小于2％范围测定第一温度。假如第一温度是在规定温度的容许误差范围内，则将一些产品用晶片进行急速热退火。

主权项

1、一个制造集成电路器件的方法，方法包括：提供一个监测硅片，监测硅片含有硅材料，引入一些粒子到硅材料中一定的深度，这些粒子可降低激发能；将引入粒子的监测晶片置于急速热退火工艺中；在第一个温度状态，也就是一个定义为小于650℃低温区域，进行急速热退火；取出监测硅片；测量监测硅片的平面电阻；在硅片全表面小于2％容许误差范围内测定第一个温度；如果这第一温度是在规定的温度容许误差范围内，则将一些产品用的硅片进行急速热退火。