发明名称 |
激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制作方法 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种激光照射装置,该装置与使用连续振荡的激光器的装置相比,能够大幅度地扩展光束点的面积,并抑制对玻璃衬底的热损伤,且能够使结晶面向扫描方向连续地长大,形成由沿该扫描方向延长的单结晶构成的晶粒群。本发明的激光照射装置的特征是包括激光振荡器;用于改变从所述激光振荡器发射出来的脉冲振荡激光束的波长的非线形光学元件;以及用于将其波长被改变了的所述激光束聚光到半导体膜上的光学系统,其中,所述脉冲重复频率在10MHz至100GHz的范围。 |
申请公布号 |
CN1624868A |
申请公布日期 |
2005.06.08 |
申请号 |
CN200410100134.7 |
申请日期 |
2004.12.02 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
田中幸一郎;山本良明 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;G02F1/35;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
1.一种激光照射装置,包括:脉冲激光振荡器,其中,所述脉冲激光振荡器的脉冲重复频率是10MHz或更高。 |
地址 |
日本神奈川县 |