半导体装置及其制造方法以及静电放电保护电路

摘要

本发明揭示一种半导体装置，包括一电阻器，形成于一半导体层中，例如一位于绝缘层上有硅层(SOI)基底上方的硅层；一本体区，形成于一部分的半导体层中并掺杂有一第一导电性(例如n型或p型)；一第一接触区，形成于半导体层并邻近本体区，其亦掺杂有一第一导电性；一第二接触区，形成于半导体层中并藉由本体区隔开第一接触区；一介电层，位于本体区上方，其由介电常数大于8的材料所形成；一电极，位于介电层上方。

主权项

1.一种半导体装置，包括：一半导体层；一本体区，形成于一部分的该半导体层中，该本体区掺杂有一第一导电性且具有一第一电阻率；一第一接触区，形成于该半导体层中且邻近于该本体区，该第一接触区掺杂有该第一导电性；一第二接触区，形成于该半导体层中且藉由该本体区而与该第一接触区相隔，该第二接触区掺杂有该第一导电性；一介电层，位于该本体区上方，该介电层包括具有一介电常数大于8的材料；以及一电极，位于该介电层上方。