后化学－机械平面化(CMP)清洗组合物

摘要

本发明公开一种用于清洗微电子基板的清洗溶液，特别是用于后CMP或通孔成形清洗的清洗溶液。该清洗溶液包括氢氧化季铵、有机胺、腐蚀抑制剂和水。优选的清洗溶液包括氢氧化四甲铵、一乙醇胺、抗坏血酸和水，该清洗溶液的碱度大于0.073毫克当量碱/克溶液。

主权项

1、一种清洗溶液，该清洗溶液用于清洗制造含铜的集成电路过程中化学机械抛光后的所述集成电路，该清洗溶液包括：0.05-12.4wt％的选自氢氧化四烷基铵的氢氧化季铵，其中的烷基含有C1-C10原子中的一种或C1-C10原子中的组合；0.2-27.8wt％的选自一乙醇胺、氨基乙基乙醇胺、N-甲氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、C2-C5链烷醇胺及其混合物的极性有机胺；0.1-10.9wt％的选自抗坏血酸、L+-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物及其组合的腐蚀抑制剂；和余量的水；其中溶液的碱度大于0.073毫克当量碱/克溶液。