| 发明名称 | 光刻用硫化物半导体掩膜 | ||
| 摘要 | 一种光刻用硫化物半导体掩膜，其特征在于所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗，锗锑碲，银铟锑碲，碲化锑或锑。本发明硫化物半导体掩膜材料由于材料的三阶非线性效应，能大大减小光斑或者刻蚀线宽，刻蚀点或刻蚀线宽是光斑衍射极限的1/3－1/6，比采用金属铟(In)(60％)的效果更明显，同时需要的激光功率也大大降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1624873A | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN200410093319.X | 申请日期 | 2004.12.21 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 张锋;徐文东;王阳;干福熹;杨金涛;高秀敏;周飞 |
| 分类号 | H01L21/033 | 主分类号 | H01L21/033 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种光刻用硫化物半导体掩膜，其特征在于所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗、锗锑碲、银铟锑碲、碲化锑或锑。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||