| 发明名称 | 半导体金属化制造过程 | ||
| 摘要 | 本案涉及一半导体金属化制造方法。该制造方法包括步骤：(a)提供一晶片；(b)置该晶片于一溅镀清洗室内，进行一溅镀清洗制造方法并同时对该晶片进行冷却处理；(c)置该晶片于一物理气相蒸镀室，以形成一钛金属层于该晶片上；以及(d)形成一铝层于该钛金属层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1205352C | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN00131766.0 | 申请日期 | 2000.10.17 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 吴孝哲 |
| 分类号 | C23C14/24 | 主分类号 | C23C14/24 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 周承泽 |
| 主权项 | 1.一种半导体金属化制造方法，该制造方法包括步骤：(a)提供一晶片；(b)置该晶片于一溅镀清洗室内，进行一溅镀清洗制造方法并同时对该晶片进行冷却处理；(c)置该晶片于一物理气相蒸镀室，以形成一钛金属层于该晶片上；以及(d)形成一铝层于该钛金属层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路19号3楼 | ||