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发明名称 Method for fabricating nonvolatile memory device having a structure of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon
摘要
申请公布号 KR100493022(B1) 申请公布日期 2005.06.07
申请号 KR20020040093 申请日期 2002.07.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/321;H01L21/336;H01L21/8246;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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