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发明名称 Ferroelectric Memory Device Comprising Extended Memory Region
摘要
申请公布号 KR100492773(B1) 申请公布日期 2005.06.07
申请号 KR20020075777 申请日期 2002.12.02
申请人 发明人
分类号 G06F12/16;G11C11/22;G11C7/18;G11C29/00;G11C29/04;H01L27/105;(IPC1-7):G11C11/22 主分类号 G06F12/16
代理机构 代理人
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