发明名称 Mikroelektromekanisk systeminnretning med piezoelektrisk tynnfilmaktuator
摘要 <p>Sammendrag En radiofrekvens (RF) mikroelektromekanisk system (MEMS)-innretning og fremgangsmåte for å fremstille denne er tilveiebragt, innretningen innbefatter et RFkretssubstrat (24) og en RF-ledningsbane anbragt (32, 34) på RF-kretssubstratet, en piezoelektrisk tynnfilmaktuator (16), og en ledningsbaneelektrode (18). Den piezoelektriske tynnfilmaktuatoren har en proksimal ende (54) som er festet relativt til RF-kretssubstratet og en bjelkeende (56) som er anbragt med mellomrom fra RFkretssubstratet. Ledningsbaneelektroden er anbragt på bjelkeenden av den piezoelektriske tynnfilmaktuatoren. Bjelkeenden av den plezoelektriske tynnfilmaktuatoren er bevegelig mellom en første posisjon der ledningsbaneelektroden er i avstand fra RF-baneelektroden og en andre posisjon der ledningsbaneelektroden er i avstand fra RF-baneelektroden ved en andre avstand, der den andre avstanden er mindre enn den første avstanden. RF MEMS-innretningen er spesielt anvendbar som en avstembar kondensator. RF MEMS-innretningen krever mindre driftsspenning, og tilveiebringer variabel RF-justeringskapasitet, mindre stiksjonsproblemer, forenklet fremstilling og en forbedret switchetid.</p>
申请公布号 NO20052671(A) 申请公布日期 2005.06.03
申请号 NO20050002671 申请日期 2005.06.03
申请人 RAYTHEON CO 发明人 NAKAHIRA RON K;ALLISON ROBERT C;PARK JOON
分类号 B81B3/00;H01G5/16;H01H57/00;H01L41/09;H01L41/24;(IPC1-7):B81B3/00;B81C1/00 主分类号 B81B3/00
代理机构 代理人
主权项
地址