| 发明名称 |
MULTI-THRESHOLD VOLTAGE CMOS SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING FLOATING PREVENTION CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050052644(A) |
申请公布日期 |
2005.06.03 |
| 申请号 |
KR20030085814 |
申请日期 |
2003.11.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
JEONG, KWANG OK |
| 分类号 |
H03K19/0175;(IPC1-7):H03K19/017 |
主分类号 |
H03K19/0175 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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