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发明名称 METHOD FOR FABRICATING A TRANSISTOR HAVING RECESSED CHANNEL
摘要
申请公布号 KR20050052643(A) 申请公布日期 2005.06.03
申请号 KR20030085813 申请日期 2003.11.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHUNG, SUNG HOON;CHI, KYEONG KOO;KANG, CHANG JIN;HAN, JEONG NAM;NAM, BYEONG YUN
分类号 H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
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