发明名称 Speichertransistor und Speichereinheit mit asymmetrischem Kanaldotierbereich
摘要 Erläutert wird u. a. ein Flash-Speichertransistor (T11) mit nur einem Taschendotierbereich (114) in der Nähe eines Sourcebereiches (S). Der Speichertransistor (T11) arbeitet ohne Störungen des Ladungsspeicherzustands bei Lesevorgängen.
申请公布号 DE10352785(A1) 申请公布日期 2005.06.02
申请号 DE20031052785 申请日期 2003.11.12
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHULER, FRANZ;SHUM, DANNY;GEISLER, CHRISTIAN
分类号 G11C16/04;(IPC1-7):H01L27/11 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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