| 摘要 |
Es wird eine Halbleitervorrichtung geschaffen, die aufweist: einen Halbleiterchip (10); eine erste Metallplatte (20), die mittels einer ersten Lötschicht (51) auf einer Seite des Chips (10) angeordnet ist; eine zweite Metallplatte (40), die mittels einer zweiten Lötschicht (52) auf der anderen Seite des Chips (10) angeordnet ist; eine dritte Metallplatte (30), die mittels einer dritten Lötschicht (53) auf der zweiten Metallplatte (40) angeordnet ist; eine Stützeinrichtung (80, 85, 87) zum Halten eines Abstands zwischen dem Chip (10) und der ersten Metallplatte (20) und/oder zwischen dem Chip (10) und der zweiten Metallplatte (40); und eine Aufnahmeeinrichtung (90) zum Aufnehmen von überschüssigem Lot, wenn die dritte Lötschicht (53) das überschüssige Lot aufweist. |
