致密双平面装置

摘要

一种具有形成于一基质上之第一与第二独立(freestanding)半导体主体(body)之MOS装置。该第一独立半导体主体具有其第一部份，位于一与该第二独立半导体主体之第一部份上非正交、非平行之方向。该第一与第二独立半导体主体之该部份具有各别之第一与第二结晶方向。一第一闸电极，跨越该第一独立半导体主体之该第一部份的至少部分，且相对该至少部分，该第一闸电极是以一非正交角度跨越，一第二闸电极亦以类似的方式跨越于该第二独立半导体主体之该第一部份。