高压金氧半导体电晶体之制作方法

摘要

本发明提供一种制作HVMOS电晶体的方法，包含有于一半导体基底表面依序形成一多晶矽层及一第一光阻图案，并对该第一光阻图案进行一紫外线烘烤(ultravioletcuring)制程。然后去除部分该多晶矽层以形成一闸极结构。接着形成一第二光阻图案，以于该闸极侧边形成二开口(opening)，并依序进行二次离子布植(ionimplantation)制程，以形成一双重扩散汲极(double diffusedrain)结构。