抗蚀剂用剥离剂组合物

摘要

本发明系一种抗蚀剂用剥离剂组合物，其含有：0.1～10重量％之(A)胺，80～99重量％之(B)汉森之溶解参数为18～33MPa^1／2之有机溶剂，0.01～3重量％之(C)糖类，以及0～5重量％之(D)水；一种包含使用该剥离剂组合物剥离抗蚀剂之步骤的抗蚀剂剥离方法；以及一种包含使用该剥离剂组合物剥离抗蚀剂之步骤的半导体元件之制造方法。可藉由使用本发明之剥离剂组合物，更加经济地制造例如高品质之IC或LSI用之半导体元件电路，尤其是化合物半导体元件电路。