氮化物半导体生长用基板

摘要

本发明之目的在于提供一种可获得高品质之氮化物半导体结晶层之氮化物半导体生长用基板。本发明之一实施形态之用以使氮化物半导体层生长于蓝宝石基板(1)上之氮化物半导体生长用基板包含：蓝宝石基板(1)上另设之Al2O3层(2)，作为第1层之AlON层(3)以及作为第2层之AlN层(4)。第1层以及第2层以AlON层(3)与AlN层(4)之顺序积层于Al2O3层(2)上。