发明名称 外延生长层制造方法(一) A METHOD OF FABRICATING AN EPITAXIALLY GROWN LAYER
摘要 本发明系关于一种制造外延生长层的方法,亦即,外延生长层经由外延(epitaxy)所得,特别应用于光学、光电或电子领域中。
申请公布号 TW200517532 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093122170 申请日期 2004.07.23
申请人 斯欧埃技术公司 发明人 法布鲁;狄希欧
分类号 C30B25/02 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人 黄庆源;蔡中曾
主权项
地址 法国