形成位元线接触窗之方法

摘要

本发明揭露一种形成位元线接触窗的方法，至少包括下列步骤：提供一基底，该基底含有复数个电晶体，而该电晶体包含一闸极及构成汲极与源极之掺杂区。形成一第一介电层于上述基底表面。形成一第二介电层于该第一介电层上。去除欲形成位元线接触窗区域之第二介电层及部份第一介电层。形成一保护层于第二介电层及部份闸极、第一介电层上。离子掺杂第二介电层及闸极上之保护层并去除未被离子掺杂之保护层。去除闸极间欲形成位元线接触窗之掺杂区表面上之第一介电层以形成一位元线接触窗。最后，填满一导电层于位元线接触窗内作为一位元线接触插塞。