半导体晶圆用之抛光组合物

摘要

本发明系关于一种用于半导体晶圆抛光之水性组合物。该组合物包含一种可抑制碳氮化矽之去除速率且具有一亲水基及一疏水基之非离子表面活性剂。该疏水基具有一大于三之碳链长度。同时，依据使用垂直于一晶圆为13.8kPa之微孔聚胺基甲酸酯抛光垫压力所量测之结果，该非离子表面活性剂对碳氮化矽去除速率之抑制量较其在氮化矽去除速率中之降低量至少多100埃／分钟。