发明名称 半导体记忆装置及其制造方法
摘要 首先,如同知技术般,利用列冗余或行冗余来修复故障单元,对于无法藉由列或行冗余修复的剩余之故障单元则藉由增加再新的次数至大于正常之单元的再新次数之方式加以修复,而能修复更多之故障单元。
申请公布号 TW200518092 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093130329 申请日期 2004.10.07
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 越川康二
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本