| 摘要 |
本发明提供一种单一电晶体平面随机存取记忆元与其形成方法，以其改善电荷保存能力，此方法包括形成通闸电晶体结构与储存电容结构，此通闸电晶体结构与此储存电容结构邻接且藉一预定距离分开；进行第一离子布植制程以形成第一掺杂区与第二掺杂区，此第一掺杂区是由上述预定距离所定义；沉积间隙壁介电层；回蚀刻上述间隙壁介电层，以形成一预定宽度的侧壁间隙壁于上述第二掺杂区的第一部份上，同时也留下未蚀刻间隙壁介电质部分于上述第一掺杂区上；以及进行第二离子布植制程以在上述第二掺杂区的一第二部份中形成一相对高掺杂质浓度。 |
