于垂直通过电晶体动态随机存取记忆体单元设计中供装置定比用之自我校准之汲极/通道接合面

摘要

本发明提供了一种用以形成一深渠沟垂直电晶体之方法。在一掺杂半导体基板中形成了一具有侧壁的深渠沟。该半导体基板包括一位于其表面中的反掺杂汲极区与一位于该侧壁之侧面的通道。该汲极区具有一顶部水平面与一底部水平面。一反掺杂源极区形成于该基板中并与该通道下方之侧壁并置。一闸极氧化物层形成于该渠沟之侧壁上并与一闸极导体并置。执行以下步骤：使闸极导体凹进以使其位于该汲极区之底部水平面下方，其后以一相对于反掺杂剂之垂直方向成θ＋δ角度执行成角度之离子植入于位于源极区下方之通道内，且以相对于掺杂剂之垂直方向成θ角度执行成角度之离子植入于位于该源极下方之通道内。