发明名称 | 用以降低光阻剂厚度及通道电阻之导线及接触孔形成方法 | ||
摘要 | 揭示一种半导体装置中之导线及接触窗之形成方法。本发明之方法系利用金属区之形成作为遮罩而蚀刻半导体装置之导体层以移除不需要的部分,以形成导线。本发明之方法可降低制程中所需之光阻剂厚度,并且可使通道电阻得到良好控制。 | ||
申请公布号 | TW200518165 | 申请公布日期 | 2005.06.01 |
申请号 | TW092132655 | 申请日期 | 2003.11.21 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄则尧;陈逸男;施江林 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 黄庆源 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |