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发明名称
自合成导电薄膜之形成方法及应用
摘要
本发明揭示了一种自合成导电薄膜之形成方法及其应用,此形成方法首先于基材上形成至少一个具有特定图案与特定官能基之光阻以键结一导电性高分子聚合单元之另一特定官能基,并藉此形成一具有特定图案之导电薄膜。此外,本发明之技术亦可应用于发光薄膜的形成方法,特别是有关于有机发光二极体元件中之发光层的形成方法。
申请公布号
TW200517777
申请公布日期
2005.06.01
申请号
TW092133749
申请日期
2003.11.28
申请人
谢国煌
发明人
谢国煌;梁文杰;林金福;邱文英;陈文章;王立义;廖文彬;戴子安;王宏仁;郭昭辉;李其欣;黄俊铭;施振远;林唯芳;张宏钧
分类号
G03F7/004
主分类号
G03F7/004
代理机构
代理人
陈俊宏
主权项
地址
台北市大安区和平东路1段248巷13号2楼
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