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发明名称
处理装置及方法
摘要
一种用于透过氮氧化处理以形成绝缘膜于欲处理之基板的表面上之处理方法包含下列步骤:藉照射含氮原子之电浆于该基板上而氮化该基板之表面;以及藉照射含氧原子之电浆以氧化已被氮化之该基板之该表面。
申请公布号
TW200517524
申请公布日期
2005.06.01
申请号
TW093102012
申请日期
2004.01.29
申请人
佳能股份有限公司
发明人
福地佑介
分类号
C23C16/511
主分类号
C23C16/511
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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