发明名称 氧化铪及氧化铝合金之介电层及其制造方法
摘要 本发明系关于一种氧化铪及氧化铝合金之介电层及其制造方法。此次系利用原子层沈积技术进行介电层之沈积。制造氧化铪及氧化铝合金之介电层的方法包含下列步骤:藉由重复进行原子层沈积技术之第一循环,沈积氧化铪单原子层;藉由重复进行原子层沈积技术之第二循环,沈积氧化铝单原子层;及藉由重复进行包含混合第一与第二循环之第三循环,沈积氧化铪单原子层与氧化铝单原子层之介电层。
申请公布号 TW200517521 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093109895 申请日期 2004.04.09
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 吉德信;卢载盛;孙贤哲
分类号 C23C16/40 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国