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发明名称
氧化铪及氧化铝合金之介电层及其制造方法
摘要
本发明系关于一种氧化铪及氧化铝合金之介电层及其制造方法。此次系利用原子层沈积技术进行介电层之沈积。制造氧化铪及氧化铝合金之介电层的方法包含下列步骤:藉由重复进行原子层沈积技术之第一循环,沈积氧化铪单原子层;藉由重复进行原子层沈积技术之第二循环,沈积氧化铝单原子层;及藉由重复进行包含混合第一与第二循环之第三循环,沈积氧化铪单原子层与氧化铝单原子层之介电层。
申请公布号
TW200517521
申请公布日期
2005.06.01
申请号
TW093109895
申请日期
2004.04.09
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
吉德信;卢载盛;孙贤哲
分类号
C23C16/40
主分类号
C23C16/40
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
韩国
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