| 主权项 |
1.一种利用含有一写入功率强度之辐射光束(160)在一可写入或可重复写入媒体(150)上记录资讯之方法,其特点为该方法包括下列各项步骤:利用执行一最佳功率校准(OPC)协定之方式确定一个可用以在一媒体(150)上写入资料之最佳写入功率强度;于针对该媒体(150)上某一写入点(130)反射出来之信号(165)进行抽样操作之同时,将资讯写入该媒体(150)之记录表面(152)上,该写入点(130)系该辐射光束(160)正在进行写入资料之记录表面(152)上之一区域;及控制该辐射光束(160)之实际功率,俾可使该记录表面(152)所接受之写入功率能被保持在一实质恒定之数値上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该辐射光束之实际功率系以控制施加至一辐射光源(120)上之实际电流的方式达到控制该实际功率之目的。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中被抽样之反射信号(165)系由位于该记录表面(152)上处于一种晶相区域反射出来的信号。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该反射信号(165)抽样操作的执行时间系设定在仅在一晶质平顶中具有稳定温度之部份进行信号抽样操作。5.如申请专利范围第3项之方法,其中自反射信号(165)中抽得之样本信号被送入一低通滤波器中接受滤波处理。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中反射信号(165)之抽样操作系当该辐射光束(160)之功率是处于前后两个写入脉冲之间的读取阶段中执行。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该方法亦包括将一代表该等反射信号(165)之信号导入一功率控制回路(300)内之步骤。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该方法亦包括根据代表该等反射信号(165)之信号来计算施加于该写入点(130)处之辐射光束(160)的功率。9.如申请专利范围第7项之方法,其中对该功率控制回路(300)之校准操作系为施加至该写入点(130)上之辐射光束(160)功率设定一最大及一最小値,此等最小及最大値应与最佳写入功率値成比例。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该方法亦包括下列各步骤:停止该功率控制回路(300)之操作;在该记录平面(152)上设定一不受干扰区;将资讯写入该不受干扰区;及调整一积分器之增益。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该方法亦包括下列各项步骤:使该功率控制回路(300)启动操作;对该不受干扰区执行资料写入操作;及如施加于该写入点(130)的辐射光束(160)之功率超过上述之最大値(上限)应将该校准结果视为无效。12.一种利用一辐射光束(160)将资讯记录在一可写入或可重复写入式媒体(150)之装置,其特点为,该装置包括:一个用以产生该辐射光束(160)之辐射源(120);一个用以侦测由一写入点(130)反射出来之信号(165)之侦测器;一个积分器,用以对一代表该等反射信号(165)之信号进行平均値之运算;一个功率控制回路(300),用以控制施加于该媒体(150)上某一记录平面(152)之辐射光束(160)的功率;一个限制器,用以控制该功率控制回路(300)之输入信号;及一个开关,用以启动及中止该功率控制回路(300)之操作。13.如申请专利范围第12项之装置,其中该限制器系以程式控制方式设定输入信号功率之最大値(上限)及最小値(下限)。14.如申请专利范围第12项之装置,其中该装置亦包括可控制该等反射信号(165)抽样操作之装置,以确使被抽样处理之反射信号(165)仅系来自该记录表面(152)上中位于一呈现一种晶相区域内某一位址。15.如申请专利范围第14项之装置,其中该装置亦包括用以控制反射信号(165)抽样操作时序之装置,以确保仅从一晶质平顶上具有稳定温度之部份取样信号样本。16.如申请专利范围第12项之装置,其中该装置亦包括可用以控制该等反射信号(165)抽样作业之装置,以确保仅在该等辐射光束(160)系处于相邻两个写入脉冲之间的「读取」阶段中取样该等反射信号(165)之样本信号。17.如申请专利范围第12项之装置,其中该装置另亦包括一低通滤波器。图式简单说明:图1所示系说明一光学记录媒体和一本发明具体实例中某一特定装置之间的互动关系。图2所示流程图系说明本发明一种方法操作时的一般程序。图3所示系本发明某一具体实例中某一功率控制回路的功能方块图。图4所示系说明依据本发明具体实例之设计,其中某一功率控制回路之操作效果。图5所示流程图系说明本发明具体实例某一功率回路中某一部份之操作详细程序。图6所示流程图系说明本发明另一具体实例中某一功率回路部份操作时之详细程序。 |
